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南車株洲所推出超級IGBT芯片 代表國內(nèi)行業(yè)最高水平

2013-12-30 來源:中國新聞網(wǎng) 瀏覽數(shù):620

  12月27日,由中國自主研制的國內(nèi)唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊,在中國南車株洲所首次正式向外界亮相。這款超極IGBT芯片代表了中國功率半導體器件行業(yè)IGBT技術(shù)的最高水平。
  IGBT中文名為“絕緣柵雙極型晶體管”。此前,高壓高功率密度IGBT技術(shù)幾乎全部被國外少數(shù)幾家企業(yè)壟斷,國內(nèi)還是一片空白,使得中國關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)發(fā)展在很大程度上受制于人。
  從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶,到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),高壓高功率密度的IGBT應用領(lǐng)域廣泛,堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。
  從2011年開始,中國南車株洲所通過全球性的戰(zhàn)略布局,吸納國際優(yōu)勢研發(fā)資源,對該項高端技術(shù)進行自主攻關(guān),終于在2012年12月份開發(fā)出國內(nèi)首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級的IGBT芯片,并在此基礎(chǔ)上,又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊。
  這款超極IGBT芯片當天亮相于中國南車株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項目鑒定會。來自中國科學院、中國工程院的四位院士以及來自中科院微電子所、南京大學、中南大學等高等院所的權(quán)威專家一致認為:中國南車株洲所研制的高壓高功率密度IGBT系列器件具有耐壓高、電流大,功率損耗低、動態(tài)性能好等諸多優(yōu)點,經(jīng)歷了嚴苛的性能測試和試驗考核,而且具有在軌道交通、柔性直流輸電等重大工程項目的實際應用業(yè)績,其成果總體技術(shù)處于國際領(lǐng)先水平、填補了國內(nèi)行業(yè)空白,實現(xiàn)了中國在高端IGBT技術(shù)領(lǐng)域與國際先進水平接軌,具有重大戰(zhàn)略意義。
  據(jù)悉,目前,中國已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費市場,以高速動車組、大功率機車、新能源裝備、電網(wǎng)為龍頭的國內(nèi)變頻產(chǎn)業(yè)年IGBT需求量超過50億元,而且每年以15%以上速度增長。 (記者劉雙雙 通訊員劉亞鵬 曹婷)

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